参数名称 参数值
Source Content uid NVMFS6H852NLT1G
Brand_Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 8367627534
包装说明 SO-8FL, DFN5, 6 PIN
制造商包装代码 488AA
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 77 weeks
风险等级 7.61
Samacsys Description N-Channel 80V 11A (Ta), 42A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2021-11-11 10:36:52
雪崩能效等级（Eas） 207 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 42 A
最大漏极电流 (ID) 42 A
最大漏源导通电阻 0.017 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 6 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-F5
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 54 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 208 A
参考标准 AEC-Q101
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管元件材料 SILICON
